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    新發(fā)現(xiàn)!增材制造316L奧氏體不銹鋼的強化機制! 金屬頂刊《Acta Materialia》

    導讀:在激光粉末床熔接(L-PBF)法制作的316L奧氏體不銹鋼中,快速凝固形成的胞狀結構在幫助實現(xiàn)高強度和高延展性起著至關重要的作用。但它們的內在特性(例如晶體取向、位錯、沉淀、元素偏析)以及各自對材料強度和熱穩(wěn)定性的影響的理解仍然模糊不清。本文發(fā)現(xiàn)胞壁遵循特定的晶體學方向,胞壁內高密度的纏結位錯具有更高的離解傾向,形成更寬的堆垛層錯,而氧化物沉淀被限制在細胞壁內。這些特征在塑性變形時作為移動位錯的屏障,并有助于高強度。與傳統(tǒng)材料相比,L-PBF 316L SS在高溫下表現(xiàn)出更高的熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的性能。


    眾所周知,由激光粉末床熔接(L-PBF)法制成的金屬和合金具有高殘余應力和非平衡微觀結構。因此,為了消除殘余應力和調整結構-性能關系,需要進行熱處理。以L-PBF 316L不銹鋼為例,其成品材料中含有大量快速凝固的亞晶粒結構,如胞狀/樹枝狀結構由位錯、元素、沉淀物和低角度晶界組成。這些凝固結構對機械性能和耐腐蝕性非常重要。一些研究認為L-PBF 316 SS的強度與位錯胞大小成比例,而其他人發(fā)現(xiàn)強度與位錯胞大小無關。位錯密度被認為是強化的主要因素。此外,沉淀物有時被認為會顯著增加強度。因此,迫切需要闡明L-PBF 316L SS鋁合金以及其他L-PBF鋁基和鈷基合金中凝固亞晶粒結構的基本強化機制。


    由于其獨特的微觀結構,熱處理在L-PBF材料中引起的微觀結構變化將不同于鍛造或冷軋材料,L-PBF 316L SS的熱穩(wěn)定性與常規(guī)樣品不同。這些研究進一步暗示了凝固胞狀結構在影響退火行為中的關鍵特性。目前已經報道了600-950 °C范圍內的胞狀結構穩(wěn)定性,并且在類似的退火條件下獲得不同的機械性能。此外,導致位錯胞壁高溫下不穩(wěn)定性的潛在機制仍知之甚少。出于實際應用的目的,316L SS經常經受高溫應用,例如核壓水反應堆。因此,研究其熱穩(wěn)定性及其對機械性能的影響非常重要。


    為了闡明這些強化機制(特別是位錯壁中存在的位錯結構和沉淀物),美國勞倫斯·利弗莫爾國家實驗室ThomasVoisin教授團隊進行了幾個專門的透射電子顯微鏡(TEM)研究,以捕捉這些關鍵微觀結構特征的相互關聯(lián)性。為了研究亞晶粒結構和晶界的熱穩(wěn)定性以及它們對拉伸性能的相應影響,從400 °C到1200 °C每隔200℃對制成的L-PBF 316L SS退火1小時。基于實驗觀察進一步進行了位錯動力學(DD)和CALPHAD建模,以闡明沉淀強化和熱穩(wěn)定性機制。本文發(fā)現(xiàn)胞壁遵循特定的晶體學方向,胞壁內高密度的纏結位錯具有更高的離解傾向,形成更寬的堆垛層錯,而氧化物沉淀被限制在細胞壁內。這些特征在塑性變形時作為移動位錯的屏障,并有助于高強度。相關研究成果以題“New insights on cellular structures strengthening mechanisms and thermal stability of an austenitic stainless steel fabricated by laser powder-bed-fusion”發(fā)表在金屬頂刊Acta Materialia上。


    論文鏈接:https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1359645420308934

    當在600℃退火后,微結構仍然保持穩(wěn)定。600-1000 °C之間的退火激活了元素擴散,導致胞壁逐漸消失,屈服強度的急劇下降。低角度晶界在高達1000 °C時保持穩(wěn)定。高于1100 °C的退火消除了所有的L-PBF微結構足跡,并呈現(xiàn)出類似常規(guī)微結構。與傳統(tǒng)材料相比,L-PBF 316L SS在高溫下表現(xiàn)出更高的熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的性能。

    圖1 打印策略示意圖。島掃描旋轉90°并向前移動x和y每層增加200米


    圖2 L-PBF 316L材料的微觀結構


    圖3 L-PBF 316L材料中的低角度晶界(LAGBs)。a,EBSD·IPF顯示出高角度的晶界(黑線)和低角度晶界(紅線).b,沿中所示的黑色箭頭的取向差a.c,在同一個區(qū)域的亮場(左上)和暗場(另外三個)拍攝的四個透射電鏡圖像d,在不同區(qū)域拍攝的更高分辨率的暗場,顯示沿細胞壁運行的LAGB(紅色箭頭)。


    圖4 胞狀結構中的沉淀物。插圖顯示了根據中的圖像計算的沉淀物尺寸分布。


    圖5 凝固胞狀的位錯結構。


    圖6 /3 晶粒結構的弱光束暗場。


    圖7 退火溫度對顯微組織的影響。a、不同退火溫度下的EBSD、IPF和PF。建成方向不在平面內。b晶粒尺寸和LAGB分數隨退火溫度的變化。c和d在不同的退火溫度下,晶粒直徑和取向差角分別分布。e在各種退火溫度下進行的SXRD衍射用于相位識別。f和g,晶格參數和FWHM的變化分別作為退火溫度的函數。


    圖8 不同退火溫度下的胞狀結構。a-d STEM/HAADF,分別在600、800、1000和1200 °C退火的樣品中以三倍放大率拍攝。e通過不同退火溫度下的沉淀物進行STEM/EDS線分析。


    圖9 在不同溫度和高溫下退火1小時后的拉伸性能。a和b在不同溫度下退火1小時的樣品的工程和真實拉伸應變/應力曲線。c,YS0.2、UTS和UE作為退火溫度的函數。d和e標準化加工硬化和瞬時加工硬化指數作為退火溫度的函數。f,最小和最大瞬時加工硬化指數,作為不同退火條件下其相應工程和真實屈服和極限強度的函數。g與在類似溫度下測試的傳統(tǒng)材料相比,在室溫和300 °C下測試的竣工材料的工程屈服和極限強度。h,屈服強度作為退火溫度的函數,



    圖10 通過3D位錯動態(tài)模擬研究沉淀物的作用。


    圖11 位錯胞結構。a,示意圖向上表示單個單元格。b示意圖,表示{001}和{111}型平面截取的一組具有相同晶體取向的晶胞c和d它們在這些平面上的投影結果。


    圖12退火時俘獲元素擴散的CALPHAD模擬。a,亞晶粒結構的STEM/EDS元素圖。b,沿中的白色虛線進行能譜線分析a(HAADF)。c,通過胞壁的鉻分布的變化是1小時保溫時間內退火溫度的函數,d計算了不同保溫時間下,作為退火溫度函數的胞壁和胞內部之間鉻和鉬含量差異的變化。



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